Карбид кремния является перспективным и многофункциональным материалом, находящим широкое применение в различных отраслях промышленности. Его уникальные физические и химические свойства делают его важным элементом для модернизации технологий и разработки новых инновационных продуктов.
Купить карбид кремния
Прайс
| Наименование товара | ГОСТ | Маркировка |
|---|---|---|
| Карбид кремния | 26327-84 | 63C |
| Карбид кремния | 3647-80 | 93С |
Для консультации о товаре, доставке, вопросах, связанных с оформлением заказа свяжитесь с менеджерами компании через форму обратной связи, находящейся в конце страницы, или по телефонам, указанным в разделе “Контакты”.
Свойства карбида кремния
Физические свойства:
- Высокая твердость
- Плотность: 3,21 г/см³
- Температура плавления: около 2700°С
- Теплопроводность: 120-270 Вт/(м·К)
- Электропроводность: варьируется в зависимости от типа (полуизолятор или полупроводник)
Химические свойства:
- Химическая формула: SiC
- Устойчивость к окислению и многим химическим реактивам
- Высокая стойкость к износу и коррозии
Применение карбида кремния
Промышленность:
- Производство абразивных материалов и инструментов (шлифовальные круги, режущие инструменты)
- Огнеупорные материалы для металлургической и керамической промышленности
- Изготовление подложек для микроэлектроники
Электроника:
- Полупроводниковые компоненты для высокочастотных и высоковольтных приложений
- Термоэлектрические устройства
- Сильные светодиоды и лазерные диоды
Автомобильная промышленность:
- Роторы турбокомпрессоров и автомобильные тормозные диски
- Композиты для брони и защиты
Производство карбида кремния
Сырье:
- Кварцевый песок (SiO₂)
- Порошок кокса или уголь
Основной процесс (метод Acheson):
- Заготовка сырья: смешивание кварцевого песка с углем.
- Нагрев сырьевой смеси в электрической печи до температур около 2000°С.
- Реакция: SiO₂ + 3C → SiC + 2CO
- Получение карбида кремния в виде монокристаллов или поликристаллического порошка.
Перспективы развития
Исследования и инновации:
- Разработка более эффективных методов получения высококачественного карбида кремния.
- Исследование новых сфер применения в медицине и аэрокосмической индустрии.
- Развитие технологий на основе наноструктурированного SiC для повышения его характеристик.
Экономические перспективы:
- Рост спроса на высокопроизводительные электронные устройства и материалы.
- Развитие зеленой энергетики требует новых подходов к использованию SiC в энергетических установках и системах.
